修调电阻及其制备方法
专利号：2018108641420
专利人：深圳市南硕明泰科技有限公司

本发明提供修调电阻包括熔丝区，熔丝区包括衬底、形成在衬底上的氧化层、形成在氧化层上的隔离层、形成在部分衬底及部分氧化层及隔离层上的介质层、形成在隔离层上及位于介质层之间的第一沟槽、位于第一沟槽上方的熔丝窗口及位于熔丝窗口两侧的修调窗口，形成在介质层上的第一金属层、形成位于第一沟槽的侧壁的第一金属层上的第二金属层、形成在第一金属层及第二金属层上的第三金属层、形成在位于熔丝窗口两侧的第三金属层上表面的第四金属层、形成在第四金属层上的钝化层，第一沟槽的侧壁与第一沟槽的底部之间形成倒角，熔丝窗口垂直于隔离层的投影区域包含在隔离层所在的区域内。本发明还提供修调电阻的制备方法，提高了修调效率和测试精度。